2. Praktikum A1 b

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2. Praktikum A1 b
ist das NAND in G2 als AND Gatter mit nachgeschaltetem Inverter zu betrachten oder einfach als NAND (irgendwie realisiert, kein Inverter)? Mir ist weiterhin nicht klar wie ein Active High Latch aus NAND Gattern zusammengesetzt werden kann…


Als einfaches NAND-Gatter? Man muss hier wenig interpretieren, sondern nur das ablesen, was da steht.


Also bei zwei Invertern in Folge invertiert der erste das Signal nach 20 ns und der zweite invertiert das invertiert Signal nach weiteren 20 ns ist das so korrekt?

Weiterhin ist mir unklar wie ein Active-High-RS-Latch aus NAND Gattern aufgebaut werden kann?


[quote=ku]Weiterhin ist mir unklar wie ein Active-High-RS-Latch aus NAND Gattern aufgebaut werden kann?
[/quote]
Das ist in den Vorlesungsfolien und/oder Übungen ziemlich sicher behandelt worden. Schlag da nochmal nach :wink:


Ich schaue gerne Mal nach, meine aber NAND wird bei Active-Low verwendet?!

@yq… nicht als einfaches NAND Gatter sondern einfach als NAND das irgendwie ohne Inverter realisiert ist. Das war meine Frage, denke aber du hast es beantwortet.

Die zweite Frage war wie das mit dem Invertieren abläuft. Dauert das erste invertieren 20ns und das zweite nochmals zusätzlich 20ns? Oder invertieren alle Inverter sozusagen gleichzeitig nach 20ns ( ergibt für mich wenig Sinn ).


So war das gemeint, also „einfach“ in dem Sinne, dass es kein zusammengefasstes Schaltbild für ein AND und NOT ist, sondern einfach nur ein NAND-Gatter, welches irgendwie (mittels Transistortechnik) realisiert ist.

Jap, ein jedes Gatter hat eine Verzögerungszeit von 20ns, heißt die Inverter invertieren schon gleichzeitig, aber das richtige Ergebnis hinter einem Inverter liegt eben erst nach 20ns an. Da kann sich natürlich nochwas ändern im nachfolgenden Gatter, deswegen brauchst du für zwei Inverter, welche in Reihe geschalten sind insgesamt ?? ns, damit das Ergebnis garantiert korrekt ist.

Das stimmt, zumindest meistens. Die Frage ist nun allerdings, wie bekommt man aus einem Active-Low-RS-NAND-Latch ein Active-High-RS-Latch ohne bestehende Gatter auszutauschen oder neue Gatter hinzuzufügen. Manchmal muss man halt Ausgänge anders interpretieren …
Eines ist aber NAND-Gattern gemein, liegt eine 0 an, so ist der Ausgang wahr, andernfalls nicht. Ich glaube in Übung 10 müsste auch auf RS-NAND- und RS-NOR-Latches eingegangen worden sein und definiert worden sein, worin sich beide unterscheiden. Hinweis: Es hat nichts mit Stühlen oder deren typische Interaktion zu tun.


Vielen Dank für die ausführliche Antwort, damit ist mir einiges klarer geworden…

EDIT: Ich glaube du meinst Blatt 9, da wird auf NOR und NAND eingegangen…