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Alte Klausuren
Hat schon jemand entdeckt, wo man an alte Klausuren kommt?
https://fsi.informatik.uni-erlangen.de/dw/pruefungen/bachelor/index#grundlagen_der_schaltungstechnik
Da kommt man aber bei TI3 raus, oder ist das das selbe? Bzw gehen da die Klausuren auch nur bis 2006…
TI3 wurde in GdS umbenannt, allerdings kann es durchaus sein, dass sich Teilbereiche des Stoffs verändert haben (Assembler kam damals gar nicht dran, dafür andere Dinge, die ihr jetzt wahrscheinlich nicht mehr braucht).
Meines Wissens gibts sonst keine Altklausuren, aber schreib doch mal ne Mail und frag nach, eventuell stellt der Lehrstuhl ja noch was online.
https://fsi.informatik.uni-erlangen.de/forum/post/65822
Hier wurde noch auf zwei neuere Klausuren verlinkt, darunter zumindest die erste GdS Klausur, die aber auch noch ohne Assembler war.
Ah, danke, das is schonmal ein Anfang, Assembler kommt bei uns eh nicht dran soweit ich weiß. 
Aber ich glaub das mit der Mail klingt nach ner guten Idee, falls ich die Adressen irgendwo find. 
Danke!
nachdem wir ja jetzt 2 Klausuren im stud on haben…
… wunder ich mich direkt mal bei der Klausur WS 2009/2010 Aufgabe 3.
Ich habe das Gefühl, dass ich ohne R1 das ding nicht berechnen kann, und da es I1 gibt, muss es nach meinem verkappten Halbwissen ja auch einen Widerstand dazu geben.
Wäre ja kein Problem, denkt man sich einfach da rein. Problem ist nur, man könnte annehmen, dass R1, so wie auch R2 ja = R ist, auch = R ist. Aber aus der Aufgabenstellung geht das nicht hervor. Vielleicht vercheck ich aber auch etwas? Was meint ihr?
edit: oder soll man durch die Masche (Uc = U2) direkt drauf kommen, dass U2 = 1/2 U0 ist? Scheint mir etwas wage…
gibt es eigentlich einfach keine lösungen zu den zwei altklausuren oder hab ich die einfach noch nicht entdeckt? sonst könnte man ja vl bisschen was hier zusammentragen, wenn die klausur wieder aus alten zusammengewürfelt ist könnt sichs schon lohnen…
Wegen Aufgabe 3 aus Klausur 2009/2010:
Ich würd einfach mal spontan sagen, I1 = I2 + Ic … Im eingeschwungenen Zustand is Ic = 0 und I2 ist U2/R2. Also ist I1 = U2/R2 …
Hallo ich hab mal eine Frage und zwar gib es vielleicht auch Lösungen bzw. Ergebnisse für die Aufgaben der beiden Klausuren, SS09 und WS10/11?
Damit man überhaupt vgl. kann was man richtig oder falsch gemacht hat.
Nachdem es weder im Studon, noch bei der FSI Lösungen dazu gibt - nein! Aber du kannst doch deine Lösungen zu irgendwelchen Aufgaben hier reinstellen und fragen, ob das richtig ist!
Als erstens hat der Prof. diesen E-Mail an alle gesendet:
Als zweitens kam diese E-Mail:
=> Es kommt Material aus den Übungen und den Miniklausuren, d.h. manche Aufgaben aus der vorherigen 2 Klausuren sind nicht relevant.
Und als letztes nimm einfach die Aufgaben von dieser Datei, da gibts ALLES, was man braucht, außer c-MOS und n-MOS Dings:
http://www.studon.uni-erlangen.de/studon/repository.php?ref_id=134970&cmd=infoScreen
Also hier mal meine Lösungen zu dein beiden alten Klausuren, wäre nett wenn mir jemand die Lücken füllen/Fehler verbessern könnte
###SS 2009:
a) U6=U4=2,5V; I0=0,1A; I2=25mA; I5=0;
b) 0,5
c) 0,5W
a) (U/R) * [(RjwC + 1)/(RjwC + 2)] * cos(wt) //jeweils mit oder ohne cos?
b) U * cos(wt) * sqr[(R^2w^2C^2 + 1) / (R^2w^2C^2 + 4)]
a) alle I und U = 0
b) U0 * (1-exp(-t/RC) // reicht da in der Klausur die Lösung oder muss man das auch herleiten können?
c) t<0 gerade, t>= 0 Aufladekurve
a) npn
b) 0,8V
c) Ic = 0,125A; Ib = 1,250mA; Uce = 1,5V; Ube = 0,8V; Ie = ca 0,125mA
d) Höheres Uce
b) NOR
c) für alle Pegel ungleich 0 oder UDD ungültig? Oder wie ist die Frage gemeint?
d) Keine?
???
###WS 09/10
a) U3 = 12V; U5 = 8,4V; Ie = 0,6A; I2 = 0,12A; I5=0,06
b) 216mW
a) U * sin(wt) * [1/(jwRC + 2)]
b) U * sin(wt) / sqr[4+(wCR)^2]
a) I1 = I2 = U/R; Ic = 0; U2=Uc=U0;
b) Uc=U0 * exp(-t/RC)
c) Gerade bei U0, ab t>=0 Entladekurve
a) npn
b) 0,7
c) Ic= 25mA; Ib = 250üA; Uce=4,5; Ube= 0,7; Ie = ca 25mA
d) Höheres Uce
-
siehe 5) oben
???
###SS 2009:
a)
SRAM:
-statisch
-schneller als DRAMs
-Speichern der Information in FF(ähnlichen) Schaltungen
-Aufbau aus bipolaren oder MOS-Transistoren
-…
DRAM
-dynamisch
-Speichern der Information als Ladungen auf kleinen Kondensatoren
-Aufbau aus MOS-Transistoren
-…
b) Datenverlust.
c)nichtflüchtige Speicher
-ROM (MROM, PROM, EPROM, EEPROM)
-Flash-Speicher
###WS 09/10
a)siehe a)
b)siehe c)
Hier bin ich anderer Meinung…
Wenn man in der ersten Grafik mit Ube runtergeht, dann wird auch Ib niedriger.
Wenn man nun in der anderen Grafik mit einem niedrigeren Ib nachsieht, wo sich die Widerstandsgerade mit diesem niedrigeren Ib schneidet, dann kommt man zu einem höheren Uce.
Finde ich persönlich auch logisch, denn:
Wenn man bei einem Transistor an die Basis weniger Spannung anlegt, „leitet er schlechter“, und hat damit einen größeren Widerstand, ergo fällt mehr Spannung an ihm ab. 
Stimmt, so betrachtet macht deine Überlegung wirklich mehr Sinn als meine. Danke euch beiden!
Und die 5c und d passen so? Da bin ich mir nämlich ziemlich unsicher wie die Fragen gemeint sind…
5d) Jo, das is ja grade der Witz an CMOS
und bei der c) versteh ich auch die Frage nicht so ganz, aber das hab ich ignoriert, weil so was nie in unseren Zwischenklausuren/Übungen gefragt war ^^
Gut, umso besser
Und wie siehts bei der Lade-/Entladegleichung aus? Reicht da das Ergebnis hinzuschreiben? Weil eigentlich sollten wir die Formeln ja auswendig können, jetzt steht da aber ja extra dieses Gleichungszeugs aus der Formelsammlung… oder betrifft uns das quasi in der Form dann auch nicht so direkt? Weil eigentlich haben wir die Formel ja in der Vorlesung auch ausführlich hergeleitet…
Naja, in der ersten Miniklausur hats ja auch gereicht, dass wir die Formel einfach hingeschrieben haben, also denk ich mal nicht, dass wir das erst noch herleiten müssen. Aber wenn du auf Nummer sicher gehen willst, dann schau dir doch nochmal das erste Hilfsblatt an, da ist die ganze Herleitung ja drauf ^^